龙图光罩：PSM与普通BIM的核心区别在于其提升光刻分辨率的技术原理

　　在接受调研者提问时表示，PSM（相移掩模版）与普通BIM（二元掩模版）的核心区别在于其提升光刻分辨率的技术原理。BIM仅通过透光（亮区）与不透光（暗区）的二元结构来转移图形，其物理极限在相对高端的制程中会导致图形边缘光学干扰，影响精度。而PSM通过在相邻透光区域引入180度的相位差，利用光的干涉效应使中间暗区的光强抵消得更彻底，从而显著提升成像的对比度和分辨率，尤其适用于线宽更小、密度更高的高端芯片制造。因此，PSM是支撑90nm及以下更先进制程的关键技术，其设计和制造复杂度远高于BIM。公司在此领域已具备成熟的技术积累和量产能力，能够满足客户对高端节点的需求。